การประยุกต์ใช้เลเซอร์ชนิดก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์สำหรับ การเตรียมฟิล์มซิงค์ซีลีไนด์ในสุญญากาศ
Keywords:
เลเซอร์ชนิดก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์, ฟิล์มซิงค์ซีลีไนด์, CO2 Laser, ZnSe FilmAbstract
งานวิจัยนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อประยุกต์ใช้เลเซอร์ชนิดก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์แบบต่อเนื่อง กำลังสูงสุด 40 วัตต์ สำหรับเตรียมฟิล์มซิงค์ซีลีไนด์ในระบบสุญญากาศ โดยได้ทำการเตรียมฟิล์มบนแผ่นแก้ว ภายใต้ความดันสุญญากาศ 8.0´10-5 มิลลิบาร์ และกำลังของแสงเลเซอร์ 10 วัตต์ พบว่าฟิล์มที่เตรียมได้มีสีเหลือง และมีความหนา 570 นาโนเมตร เมื่อวิเคราะห์ฟิล์มด้วยเทคนิคการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ พบว่าฟิล์มที่เตรียมได้เป็นฟิล์มของซิงค์ซีลีไนด์ที่มีโครงสร้างผลึกแบบลูกบาศก์ โดยแสดงระนาบโครงสร้างผลึกที่ (111) และ (220) และเมื่อนำไปวิเคราะห์การส่องผ่านแสงด้วยเครื่องวิเคราะห์ยูวี-วิสิเบิล สเปกโทรโฟโตมิเตอร์ พบว่าฟิล์มสามารถกรองแสงในช่วงความยาวคลื่นประมาณ 300 – 450 นาโนเมตร อันเป็นสมบัติเด่นของฟิล์มซิงค์ซีลีไนด์
This research aims to apply the 40 watt continuous CO2 laser for preparation of ZnSe film in the vacuum system. The ZnSe film was deposition on glass slide under vacuum pressure of 8.0´10-5 mbar. The 10 watt optimum laser power was used to laser deposition. The prepared film has yellow color with a thickness of approximately 570 nm. The crystal structure of samples was analyzed by XRD technique. The XRD patterns showed (1 1 1) and (2 2 0) of cubic ZnSe. The UV-Vis transmission spectra observed by UV-Vis spectrophotometer showed low transmission in the wavelength range of 300 – 450 nm.
References
วุฒิชัย แพงาม และ เจษฎา ประทุมสิทธิ์, (2557), การสร้างระบบสุญญากาศจากปั๊มกลโรตารีและปั๊มแบบแพร่ไอน้ำมัน. วารสารวิจัยราชภัฏพระนคร สาขาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. 9(2), 27-43.
Li, G., Li, G. and Neumark, J.F. (2001). Investigation on ZnSe for ZnSe/GaAs/Ge High EfficiencySolar Cells. Proceedings of the 13th Workshop on Quantum Solar Energy Conversion - (QUANTSOL 2001) March 11-17, 2001, Kirchberg in Tirol, Österreich.
Perna, G., Capozzi, V., Plantamura, M.C., Minafra, A., Biagi, P.F., Pallara, M., Orlando, S., Marotta, V. and Giardini, A. (2003). Structural and optical properties of ZnSe films deposited on crystalline Al2O3 substrate by laser ablation technique. Applied
Surface Science. Vol. 208-209, 582-588.
Ganguli, T., Vedvyas, M., Bhattacharya, P., Kukreja, L.M., Ingale, A., Adhi, K.P., Chandrashekharan, K.S., Arora, B.M. and Rustagi, K.C. (2001). Crystalline quality of ZnSe thin films grown on GaAs by pulsed laser deposition in He and Ar ambients.Thin Solid Films. Vol. 388, 189-194.
Khan, T.M., Zakria, M., Ahmad, M. and Shakoor, R.I. (2014). Optoelectronic study and annealing stability of room temperature pulsed laser ablated ZnSe polycrystalline thin films. Journal of Luminescence. Vol. 147, 97-106.
Yadav, K. and Jagg, N. (2015). Effect of Ag doping on structural and optical properties of ZnSe nanophosphors. Materials Science in Semiconductor Processing. Vol. 30, 376-380.
Wei, A., Zhao, X., Liu, J. and Zhao, Y. (2013). Investigation on the structure and optical properties of chemically deposited ZnSe nanocrystalline thin films. Physica B. Vol. 410, 120-125.
Shaaban. E.R. (2013). Optical constants and fitted transmittance spectra of varies thickness of polycrystalline ZnSe thin films in terms of spectroscopic ellipsometry, Journal of Alloys and Compounds. Vol. 563, 274-279.
Downloads
Published
Issue
Section
License
โปรดกรอกเอกสารและลงนาม "หนังสือรับรองให้ตีพิมพ์บทความในวารสารวิจัยมหาวิทยาลัยราชภัฏพระนคร สาขาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี" ก่อนการตีพิมพ์
