การศึกษาคุณสมบัติทางเทอร์โมอิเล็กทริกของ In6Sb5Te

Abstract

สารประกอบ In₆Sb₅Te สังเคราะห์ขึ้นจากการใช้สารที่เป็นของแข็งคือ InSb, In และ Te นำมารวมกัน โดยโครงสร้างผลึกของสารประกอบ In₆Sb₅Te จะมีลักษณะคล้ายคลึงกับ InSb ในส่วนคุณสมบัติทางเทอร์โมอิเล็กทริกของสารประกอบทำการวัดในช่วงอุณหภูมิห้องจนถึงอุณหภูมิประมาณ 750 เคลวิน ที่อุณหภูมิสูงสารประกอบ In₆Sb₅Te มีความต้านทานไฟฟ้าและการนำความร้อนที่ค่อนข้างต่ำ แต่ในส่วนสัมประสิทธิ์ของซีเบคจะมีค่าติดลบและค่าที่ได้จะอยู่ในระดับปานกลางไม่สูงมาก ณ อุณหภูมิ 750 เคลวิน ค่าความต้านทานไฟฟ้าการนำความร้อนและสัมประสิทธิ์ของซีเบค มีค่าเท่ากับ 2.67 มิลลิโอห์ม-เซนติเมตร, -104 ไมโครโวลต์ต่อเคลวิน และ 1 วัตต์ต่อเมตร-เคลวิน ตามลำดับ ซึ่งส่งผลให้ได้ค่า dimensionless figure of merit (ZT) เท่ากับ 0.3

The study of thermoelectric properties of In6Sb5Te

In₆Sb₅Te ternary compound was synthesized by the solid-state reactions of InSb, In and Te. The crystal structure of In₆Sb₅Te was similar to InSb. The thermoelectric properties were measured in the temperature range nfrom the room temperature of 750 K. In₆Sb₅Te exhibited relatively low electrical resistivity (ρ) and thermal conductivity (κ) and moderated negative See beck coefficient (S) at high temperatures. At 750 K, the ρ, S, and κ values of In₆Sb₅Te were 2.67 mΩcm, -104 μVK^-1, and 1 Wm^-1K^-1, respectively, which resulted in the maximum ZT = 0.3.