อุปกรณ์หน่วยความจำสามสถานะที่โค้งงอได้จากอนุภาคนาโนเงิน
Article Sidebar
Main Article Content
บทคัดย่อ
อุปกรณ์หน่วยความจำสามสถานะถูกสร้างขึ้นจากอนุภาคนาโนเงิน (Ag NPs) โดยการนำอนุภาค นาโนเงินฝังตัวในพอลิเมอร์ poly (9-vinylcarbazole) (PVK) ในโครงสร้าง ITO/PVK:Ag NPs/Al บนฐานรองรับพลาสติก จากผลการศึกษาพบว่าสมบัติทางไฟฟ้า (I-V) ของตัวอุปกรณ์หน่วยความจำแสดงให้เห็นความแตกต่างของค่าสถานะได้สามสถานะคือ สถานะปิด (OFF-state) สถานะเปิด (ON-state) และสถานะกลาง (INTERM-state) ซึ่งอุปกรณ์หน่วยความจำที่สร้างขึ้นประพฤติตัวเป็นหน่วยความจำประเภท non-volatile rewritable memory หรือเป็นอุปกรณ์ที่สามารถเขียนซ้ำได้แบบไม่ลบเลือน โดยมีเงื่อนไขที่เหมาะสมของอัตราส่วนอนุภาคนาโนเงินที่ได้จากการศึกษาคือร้อยละ 6 โดยน้ำหนัก เพื่อศึกษาผลกระทบและความสามารถในการโค้งงอจึงได้มีการศึกษาสมบัติทางไฟฟ้าระหว่างการโค้งงอ จากผลการทดลองจำนวนรอบในการโค้งงอพบว่าอุปกรณ์ที่สร้างขึ้นสามารถรักษาสถานะการนำไฟฟ้าในสถานะที่แตกต่างกันได้โดยไม่เสื่อมประสิทธิภาพ
Article Details
References
Meena, J.S., Sze, S.M., Chand, U. and Tseng, T.Y. 2014. Overview of emerging nonvolatile memory technologies. Nanoscale Research Letters, 9, 526.
Lian, K., Li, R., Wang, H., Zhang, J. and Gamota, D. 2010. Printed flexible memory devices using copper phthalocyanine. Materials Science and Engineering B, 167, 12-16.
Ali, S., Bae, J., Choi, K. H., Lee, C. H., Doh, Y. H., Shin, S. and Kobayashi, N. P. 2015. Organic non-volatile memory cell based on resistive elements through electro-hydrodynamic technique. Organic Electronics, 17, 121-128.
Son, J.Y., Shin, Y.H., Kim H. and Jang, H. M. 2010. NiO resistive random access memory nanocapacitor array on graphene, 4(5), 2655-2658.
Dao, T. T., Tran, T. V., Higashimine, K.., Okada, H., Mott, D., Maenosono, S. and Murata, H. 2011. High-performance nonvolatile write-once-read-many-times memory devices with ZnO nanoparticles embedded in polymethylmethacrylate. Appl. Phys. Lett., 99, 233303.
Li, F., Kim, T. W., Dong, W. and Kim, Y. H. 2009. Nonvolatile memory devices based on ZnO/polyimide nanocomposite sandwiched between two C60 layers. Thin Solid Films, 517, 3916-3918.
Ham, J. H., Oh, D. H., Cho, S. H., Jung, J. H., Kim, T. W., Ryu, E. D. and Kim, S. W. 2009. Carrier transport mechanisms of nonvolatile write-once-read-many-times memory devices with InP–ZnS core-shell nanoparticles embedded in a polymethyl methacrylate layer. Appl. Phys. Lett., 94, 112101.
Prime, D. and Paul, S. 2009. Overview of organic memory devices. Phil. Trans. R. Soc. A, 367, 4141-4157.
Mamo, M. A., Machado, W. S., van Otterlo, W. A. L., Coville, N. J. and Hümmelgen, I. A. 2010. Simple write-once-read-many-times memory device based on a carbon sphere-poly(vinylphenol) composite. Organic Electronics, 11, 1858-1863.
Onlaor, K., Thiwawong , T. and Tunhoo, B. 2018. Multilevel conductance switching and carrier transport mechanisms of memory devices based on an ITO/PVK:Ag nanoparticles/Al structure. Journal of Alloys and Compounds, 732, 880-886.
Onlaor, K., Thiwawong , T. and Tunhoo, B. 2016. Bi-stable switching behaviors of ITO/EVA:ZnO NPs/ITO transparent memory devices fabricated using a thermal roll lamination technique. Organic Electronics, 31, 19-24.
Chung, I., Cho, K., Yun, J. and Kim, S. 2012. Flexible resistive switching memory devices composed of solution-processed GeO2:S films. Microelectronic Engineering, 97, 122-125.
Onlaor, K., Thiwawong , T., Tunhoo, B. and Nukeaw, J. 2013. Electrical properties and switching mechanisms of flexible organic-inorganic bistable devices. Appl Phys A, 112, 495-500.