หน่วยความจำเปลี่ยนเฟส : เทคโนโลยีบันทึกข้อมูลแห่งอนาคต ตอนที่ 1

บทคัดย่อ

บทคัดย่อ

เทคโนโลยีหน่วยความจำเปลี่ยนเฟสเป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบไม่ลบเลือนแห่งอนาคต ที่ได้รับการคาดหมายว่าจะเข้ามาแทนที่เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชที่นิยมใช้กันอยู่ในปัจจุบัน เนื่องจากมีข้อได้เปรียบเทคโนโลยีหน่วยความจำชนิดอื่นหลายด้าน เช่น โครงสร้างของเซลล์มีขนาดเล็กและไม่ซับซ้อน สามารถผลิตได้กับเทคโนโลยีแบบซีมอส สามารถบันทึกข้อมูลได้มากกว่า 1 บิตใน 1 เซลล์ และเป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบไม่ลบเลือน เป็นต้น เทคโนโลยีหน่วยความจำเปลี่ยนเฟสทำงานโดยอาศัยคุณสมบัติพิเศษของวัสดุในกลุ่มชาลโคจีไนด์ที่สามารถเปลี่ยนเฟสกลับไปมาได้ระหว่างสถานะอสัณฐานและสถานะผลึก โดยการควบคุมขนาดและช่วงเวลาในการไบแอสของสัญญาณไฟฟ้าที่ใช้ในการสร้างพลังงานความร้อนให้แก่วัสดุเปลี่ยนเฟส

บทความนี้เป็นการนำเสนอบทนำเกี่ยวกับเทคโนโลยีหน่วยความจำเปลี่ยนเฟส โดยจะอธิบายถึงประวัติความเป็นมาคุณสมบัติของวัสดุเปลี่ยนเฟส โครงสร้างวัสดุเปลี่ยนเฟส การปลูกฟิล์มบางของวัสดุเปลี่ยนเฟส และหลักการทำงานของหน่วยความจำเปลี่ยนเฟส เป็นต้น

คำสำคัญ: เทคโนโลยีบันทึกข้อมูล หน่วยความจำแบบไม่ลบเลือน หน่วยความจำเปลี่ยนเฟส

Abstract

Phase change memory (PCM) is one of the most promising candidates for the next generation of non-volatilememories that are being considered to replace the currently dominant Flash memories. The replacement has betterproperties when compared with other emerging memory technologies. The improved qualities include small structureand simplicity, low additional cost with respect to baseline CMOS, Multi-level cell (MLC) and non-volatile memory.The principle of PCM is based on the chalcogenide material’s ability to be reversibly structurally transformed betweenhighly resistive amorphous and lowly resistive crystalline by controlling the amplitude and time of application ofan electrical pulse for thermally induced phase change of a chalcogenide material.

This paper provides an introduction to phase change memory technology describing the principle:history, properties and structure of phase change materials, thin fi lm deposition and the principles of the phase changeoperation.

Keywords: Data Storage Technology, Non-volatile Memory, Phase Change Memory