การลดลงของกำลังไฟฟ้าสูงสุดของแผงเซลล์แสงอาทิตย์ที่เกิดจากความต้านทานภายใน

บทคัดย่อ

บทคัดย่อ

บทความนี้นำเสนอผลการศึกษาการลดลงของกำลังไฟฟ้าสูงสุดของแผงเซลล์แสงอาทิตย์ โดยทำการศึกษาข้อมูลของแผงเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดผลึกผสมซิลิกอน (Poly Crystalline Silicon Solar Cell; p-Si) และแผงเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดไฮบริดจ์ซิลิคอน(Hybrid Silicon Solar Cell; HIT) ของระบบสาธิตสถานีผลิตไฟฟ้ากระแสสลับจากเซลล์แสงอาทิตย์ที่ติดตั้งอยู่ภายในวิทยาลัยพลังงานทดแทน มหาวิทยาลัยนเรศวร ระยะเวลา 4 ปี ตั้งแต่ปี 2548 จนถึงปี 2551 ซึ่งวัตถุประสงค์ของการศึกษาความต้านทานอนุกรมและความต้านทานชันต์เพื่อหาการเปลี่ยนแปลงของความต้านทานทั้ง 2 ชนิดว่าส่งผลต่อการลดลงของกำลังไฟฟ้าสูงสุดของแผงเซลล์แสงอาทิตย์อย่างไร จากการศึกษาพบว่าแผงเซลล์แสงอาทิตย์ชนิด p-Si และ HIT มีอัตราการเพิ่มขึ้นของความต้านอนุกรมประมาณ 0.0133 และ 0.136 โอห์ม/ปี ตามลำดับและมีอัตราการลดลงของความต้านทานชันต์ประมาณ 1.855 และ 1.299โอห์ม/ปี ตามลำดับซึ่งการเปลี่ยนแปลงของความต้านทานทั้ง 2 ชนิด ส่งผลทำให้กำลังไฟฟ้าสูงสุดของแผงเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดp-Si จาก 81.26 วัตต์ เป็น 51.95 วัตต์ และชนิด HIT ลดลงจาก 180 วัตต์ เป็น 121.67 วัตต์ สรุปผลการศึกษาได้ว่าการลดลงของกำลังไฟฟ้าสูงสุดของแผงเซลล์แสงอาทิตย์ชนิด HIT มีอัตราที่สูงกว่าแผงเซลล์แสงอาทิตย์ชนิด p-Si โดยมีสาเหตุมาจากมีอัตราการเปลี่ยนแปลงของความต้านทานอนุกรมที่เพิ่มขึ้นและความต้านทานชันต์ที่ลดลงสูงกว่านั่นเอง

คำสำคัญ: กำลังไฟฟ้าสูงสุด แผงเซลล์แสงอาทิตย์ ความต้านทานภายใน

Abstract

This article presents the results of the maximum power output reduction of PV modules. The poly Crystalline Silicon Solar Cell (p-Si) and a Hybrid Silicon Solar Cell (HIT) of a 10 kW PV grid connected system at Energy Park at The School of Renewable Energy Technology (SERT) in Naresuan University were studied. The parameters of technical performance have been recorded for 4 years (2005 - 2008). The purpose of this research was to study the variant of 2 type’s of internal resistance, shunt resistance and series resistance. The results of research found that, the series resistance rate of p-Si and HIT increases about 0.0133 and 0.136 ohm / year, respectively, and the parallel resistance rate of p-Si and HIT increases about 1.855 and 1.299 ohm / year. respectively, The maximum power which is reduced by variant resistances, p-Si decreased from 80 watts to 51.95 watts and HIT decreased from 180 W to 121.67 W.The conclusion of this research is that the maximum power output reduction of HIT is higher than p-Si, which is increased series resistance and decreased shunt resistance.

Keywords: peak power, photovoltaic, internal resistance